Обсуждается вопрос о возможности использования четного фотомагнитного эффекта (ФМЭ) при изучении свойств полупроводниковых материалов в тех случаях, когда обычно для этих целей используется фото-холл-эффект (ФХ). Механизм формирования одной из составляющих четного ФМЭ таков же, как и для ФХ. По этой причине данные о четном ФМЭ и ФХ содержат аналогичную информацию о свойствах полупроводникового материала. Такая точка зрения подтверждается результатами экспериментальных исследований четного ФМЭ и ФХ, а также нечетного ФМЭ в одинаковой геометрии опыта на примере образцов Ge и Si р-типа.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для физического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.