Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Влияние заряженных дефектов в системе полупроводник-молекулярно-наслоенный диэлектрик на спектры флуоресценции адсорбированных молекул

В.А. Беспалов, В.Е. Дрозд, Л.В. Левшин, Г.С. Плотников, А.М. Салецкий, В.И. Южаков

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1986. № 2. С. 50

  • Статья
Аннотация

Изучалось влияние заряженных локальных дефектов на спектры флуоресценции молекул эритрозина, адсорбированных на поверхности структур типа полупроводник - молекулярно-наслоенный диэлектрик ($HfO_2, TiO_2, Nb_2O_5 , V_2O_5 , Cr_2O_3$). Обнаружены эффекты сдвига спектров в поле заряженных центров различного знака и различной природы.

English citation: Effects of charged defects in a system formed by a semiconductor with a molecular-film insulator on the fluorescence spectra of adsorbed molecules
V.A. Bespalov, V.E. Drozd, L.V. Levshin, G.S. Plotnikov, A.M. Saletskii, V.I. Yuzhakov
Авторы
В.А. Беспалов, В.Е. Дрозд, Л.В. Левшин, Г.С. Плотников, А.М. Салецкий, В.И. Южаков
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 2, 1986

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.