Роль структурных дефектов и примесей в реконструкции поверхности кремния (100)

Методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии исследована (100) грань кремния. По мере очистки образца от поверхностных примесей зафиксированы $(2\times 1)-$, $p(2\times 2)-$ и $c(4\times 4)$-сверхструктуры. При последующем электронном воздействии ($T=450^{\circ} С$, Е=3 кэВ, $D = 5\cdot 10^{19}$ эл/см$^2$) сверхструктура $c(4\times 4)$, как оказалось, переходит в $(4\times 1)$. С использованием квантово-химического приближения валентных связей построена модель взаимного перехода указанных элементарных ячеек друг в друга.