Аннотация
В экспериментах на пленках a-Si:Н с имплантированными ионами бора и фосфора установлено, что при полных концентрациях имплантированных ионов В и Р $N_B$ и $N_Р$ меньше $5\cdot 10^{19}$ см$^{-3}$ наблюдается эффект Стеблера—Вронского — изменение темновой проводимости и ее энергии активации после освещения пленок белым светом. При $N_P, N_B>5\cdot 10^{19}$ см$^{-3}$ эффект отсутствует. Обсуждается природа наблюдаемых закономерностей.
English citation: The Staebler-Wronski effect in a-Si:H films implanted with boron and phosphorus ions
I.A. Kurova, I.P. Akimchenko, K.B. Chitaya
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.А. Курова, И.П. Акимченко, К.Б. Читая
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.