Приведены экспериментальные характеристики фотоемкостного цифрового датчика слабого светового излучения, в котором использованы планарные структуры $Аl—SiO_2\cdot Si_3N_4—Si$. Радиочастотная часть датчика представляет собой параметрический генератор, собранный по балансной схеме с МДП-структурами, одна из которых освещается светом. Изменение интенсивности света меняет баланс схемы; величина интенсивности пропорциональна вероятности выпадения одной из устойчивых фаз субгармоники при многократных запусках генератора периодически возбуждаемого параметрического контура.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра радиофизики СВЧ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.