Статья

Исследование механизма прохождения тока в поверхностно-барьерных структурах p-Si/полимерный материал/$SnO_2$

В.Е. Сенюк, Г.Г. Унтила, А.Л. Харитонов, Л.Б. Рубин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1987. № 4. С. 60

Статья

Аннотация

Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) p-Si/ПМ/$SnO_2$ для образцов с разным уровнем легирования кремния. Установлена связь между механизмом транспорта носителей тока и величиной напряжения холостого хода $V_{хх}$. Показано, что уменьшение величины $V_{хх}$ с ростом уровня легирования кремния сможет быть связано с увеличением значения темнового тока ФЭП за счет механизма многоступенчатого туннелирования.

English citation: Mechanism of current transfer in surface-barrier structures p-Si/polymer material/$SnO_2$

V.E. Senyuk, G.G. Untila, A.L. Kharitonov, L.B. Rubin

Авторы

В.Е. Сенюк, Г.Г. Унтила, А.Л. Харитонов, Л.Б. Рубин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра квантовой радиофизики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2 Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Россия, 119991 Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2

Выпуск 4, 1987

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.