Разогрев электронов в компенсированном полупроводнике Ge<Au, Sb>

В компенсированном полупроводнике Ge<Au, Sb> в условиях ИК-подсветки и в темноте исследованы температурные зависимости холловской подвижности при 5<Т<100 К и влияние на ее величину электрического поля. Показано, что при Т<8 К рост и насыщение в условиях ИК-подсветки обусловлены фоторазогревом электронов; оценено отношение $\tau_{\epsilon}/\tau$.