Аннотация
Проведено исследование влияния адсорбции паров воды на вольт-амперные характеристики и частотную дисперсию емкости барьера Шоттки на основе a-Si:H. Высказано предположение, что ориентационная поляризуемость молекул воды снижает высоту барьера, а гидратация поверхности, кроме того, оказывает влияние на распределение плотности локализованных электронных состояний за счет насыщения оборванных связей кремния гидроксильными группами.
English citation: Effect of water vapor adsorption on electrophysical properties of Schottky barrier based on amorphous hydrated silicon
R.V. Prudnikov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Р.В. Прудников
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.