Аннотация
Рассмотрено влияние скорости поверхностной рекомбинации и глубины залегания источника на пространственное разрешение в режиме наведенного тока растрового электронного микроскопа для объектов с р—n-переходом, расположенным перпендикулярно плоскости сканирования электронного пучка
English citation: The effect of electrophysical parameters on spatial resolution of scanning electron microscope operating in the induced current mode
R.S. Gvozdover V.I. Petrov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Р.С. Гвоздовер, В.И. Петров
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.