О природе немонотонной кинетики изменения проводимости пленок $\alpha$-Si:H под влиянием освещения при повышенной температуре

Исследовано влияние интенсивности освещения на кинетику изменения темновой проводимости ($\sigma_d$) нелегированных и слабо легированных бором пленок $\alpha$-Si:H во время и после освещения. Установлено, что при больших интенсивностях света кинетика немонотонна, при малых - монотонна. Показано, что зависимость кинетики изменения $\sigma_d$ от интенсивности освещения пленки может быть объяснена процессами образования и теплового отжига фотоиндуцированных оборванных связей (ОС) и активацией и деактивацией примесей без участия процесса светового отжига ОС.