Исследована математическая модель, описывающая переходные процессы в полупроводниках. Показано, что исходная физическая постановка задачи редуцируется к начально-краевой задаче для уравнения высокого порядка в частных производных составного типа. При рассмотрении соответствующей одномерной начально-краевой задачи выявлено полное соответствие теоретических результатов, полученных на основе предложенной математической модели с наблюдаемым динамическим эффектом стратификации объемного заряда в полупроводнике.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра математики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.