Аннотация
Теоретически исследована пространственная самоорганизация волны генерации дефектов (ВГД) в лазерно-возбужденных кристаллических полупроводниках и диэлектриках. Показано, что благодаря упругой анизотропии кристалла и гауссовскому распределению интенсивности возбуждающего лазерного излучения ВГД фокусируется вдоль кристаллографических направлений кристалла.
English citation: Focusing point defect generation wave along crystallographic axes in crystals under the action of Gaussian laser beam
V.I. Emel'yanov, A.V. Rogacheva
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.И. Емельянов, А.В. Рогачева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2