Аннотация
Работа посвящена исследованию влияния электрических полей на электронно-дырочную рекомбинацию в широкозонных диэлектриках. Изучена статистика флуктуационных полей в кристаллах. Рассчитано среднее влияние случайных полей на вероятность рекомбинации. Показано, что с ростом концентрации дефектов вероятности рекомбинации падают степенным образом с дробным показателем степени.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.Н. Васильев, Б.Н. Яценко
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра оптики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра оптики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.