Аннотация
Исследован процесс деполяризации облученной электронным пучком тонкой диэлектрической пленки с учетом термоэлектретного эффекта. Установлено, что его появление приводит к увеличению скорости спада потенциала на поверхности мишени и возрастанию времени релаксации заряда в объеме образца. Показано, что термоэлектретный эффект может использоваться для косвенного измерения температуры электронорезистов в электронной литографии.
English citation: Influence of the thermoelectret effect on discharge of a dielectric exposed to electron beam
N.N. Negulyaev, S.I. Zaitsev, E.A. Grachev
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Н.Н. Негуляев, С.И. Зайцев, Е.А. Грачев
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра компьютерных методов физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2. Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра компьютерных методов физики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2. Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.