Особенности электронного обмена при скользящем рассеянии ионов водорода H$^-$ на тонкой пленке Al

Впервые исследован процесс перезарядки при скользящем рассеянии отрицательного иона водорода H$^-$ на тонкой пленке алюминия Al с помощью метода, не основанного на теории возмущений. Произведен расчет фракции рассеянных отрицательных ионов H$^-$ как функции параллельной поверхности компоненты скорости ионов. Показано, что выход ионов H$^-$ при рассеянии на тонкой пленке более чем на порядок превосходит выход отрицательных ионов при рассеянии на массивном образце.