Электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде

Обнаружена фотопроводимость пленок a-Si:H, подвергнутых термическому отжигу в атмосфере водорода при температуре $T_a\ge560$\dC. В области низких температур темновая проводимость отожженных пленок определяется прыжковым механизмом с переменной длиной прыжка. Наличие прыжкового транспорта свидетельствует о высокой плотности состояний оборванных связей кремния ($\rho\sim10^{19}$ см$^{-3}{\cdot}$эВ$^{-1}$). Показано, что появление фотопроводимости исследованных пленок после отжига может быть связано с образованием фоточувствительного слоя, имеющего микрокристаллитную структуру.