Аннотация
Обнаружена фотопроводимость пленок a-Si:H, подвергнутых термическому отжигу в атмосфере водорода при температуре $T_a\ge560$\dC. В области низких температур темновая проводимость отожженных пленок определяется прыжковым механизмом с переменной длиной прыжка. Наличие прыжкового транспорта свидетельствует о высокой плотности состояний оборванных связей кремния ($\rho\sim10^{19}$ см$^{-3}{\cdot}$эВ$^{-1}$). Показано, что появление фотопроводимости исследованных пленок после отжига может быть связано с образованием фоточувствительного слоя, имеющего микрокристаллитную структуру.
English citation: Electrical and photoelectrical properties of a-Si:H films subjected to high-temperature annealing in hydrogen
I.A. Kurova, М.А. Nal'gieva, and N.N. Ormont
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.А. Курова, М.А. Нальгиева, Н.Н. Ормонт
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.