Особенности частотной зависимости бесфононной прыжковой проводимости

В рамках теории возмущений проведен расчет мнимой части бесфононной проводимости слаболегированного компенсированного полупроводника. Показано, что при использовании базиса локализованных функций атомного типа суперлинейной частотной зависимости вещественной части проводимости соответствует частотная зависимость мнимой части проводимости близкая к линейной. Найдено, что при частотах меньших частоты перехода (кроссовера) $\omega_{\rm cr}$ от линейной к квадратичной частотной зависимости вещественной части проводимости, тангенс угла диэлектрических потерь слабо зависит от частоты и определяется отношением $\hbar\omega_{\rm cr}$ к ширине примесной зоны. Показано, что из измерений тангенса угла диэлектрических потерь можно получить информацию о радиусе локализации примесных состояний.