Аннотация
В работе проведено сравнение двух силовых полей, предназначенных для молекулярно-динамического моделирования процесса напыления тонких пленок диоксида кремния. Проведен анализ структурных характеристик (плотность, радиальная функция распределения) кластера стеклообразного диоксида кремния, используемого в качестве подложки, и напыленной пленки. Показано, что для моделирования процесса напыления больше подходит силовое поле DESIL, в котором взаимодействие Ван-дер-Ваальса описывается потенциалом Леннарда-Джонса.
Поступила: 22 июня 2015
Статья подписана в печать: 22 января 2016
PACS:
80.00.00 INTERDISCIPLINARY PHYSICS AND RELATED AREAS OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
English citation: Force fields for the molecular dynamic simulation of the deposition of the silicon dioxide film
F.V. Grigoriev
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Ф.В. Григорьев^{1,2}
^1Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 4.
^2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». Россия, 115409, Москва, Каширское ш., д. 31.
^1Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 4.
^2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». Россия, 115409, Москва, Каширское ш., д. 31.