Аннотация
Методом классической молекулярной динамики проведено суперкомпьютерное моделирование процесса высокоэнергетического напыления (ion beam sputtering) тонких пленок диоксида кремния. Обсуждаются особенности используемого в рамках программы Lammps метода напыления. Проведен структурный анализ полученной пленки (плотность в зависимости от толщины, радиальная функция распределения, среднее расстояние связи Si-O, концентрация точечных дефектов различных видов).
Поступила: 16 июля 2015
Статья подписана в печать: 11 марта 2016
PACS:
60.00.00 CONDENSED MATTER: STRUCTURAL, MECHANICAL, AND THERMAL PROPERTIES
English citation: High-performance modeling of the deposition of a silicon dioxide thin film using the LAMMPS program
A. V. Gorokh, F.V. Grigoriev, E. V. Katkova, A. V. Sulimov, S. A. Sharapova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.А. Горох, Ф.В. Григорьев, Е.В.Каткова, А.В.Сулимов, С.А.Шарапова
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 4.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский вычислительный центр. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 4.