Методами высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии и просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования приповерхностных слоев подложек монокристаллического кремния Si(001), подвергнутых плазменно-иммерсионной имплантации ионами гелия с энергией 2 и 5 кэВ и дозой 5×1017 см–2. Показано, что формируемый ионами гелия приповерхностный слой имеет многослойную структуру, состоящую из верхнего субслоя аморфизованного кремния, под которым расположены субслой с гелиевыми пор-пузырями и нарушенный кристаллический субслой. Определены распределение электронной плотности по глубине, концентрация и распределение пор по размеру. Установлено, что средние размеры пор пузырей при указанных выше энергиях имплантации составляют 4 и 8 нм соответственно.
61.72.-y Defects and impurities in crystals; microstructure
68.37.Lp Transmission electron microscopy
85.40.Ry Impurity doping, diffusion and ion implantation technology
А.А.Ломов Физико-технологический институт РАН, Россия, 117218, Москва, Нахимовский просп. д. 36/1. Ю.М.Чесноков НИЦ «Курчатовский институт», Россия, 123182, Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1. А.П.Орешко МГУ имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра физики твердого тела, Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.