Исследована фотолюминесценция двух типов гетероструктурных кремниевых солнечных элементов с различной пассивацией слоя кристаллического кремния. С помощью измерения фотолюминесценции при низкой температуре были выявлены вклады различных процессов в фотолюминесценцию образцов. Показана возможность оценки концентрации легирующей примеси в кристаллическом кремнии для солнечных элементов на основе гетероперехода аморфный кремний/кристаллический кремний по спектрам фотолюминесценции. Установлена корреляция между кинетиками фотолюминесценции гетероструктурных кремниевых солнечных элементов и эффективностью их фотопреобразования. Предложен эффективный способ определения качества пассивации поверхности кристаллического кремния в солнечных элементах на основе гетероперехода аморфный кремний/кристаллический кремний.
$^1$Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники, кафедра общей физики и молекулярной электроники.\
$^2$Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.