Влияние температуры мишени 4H-SiC на профиль распределения ионов Al+ при ионном облучении

Проведено облучение 4H-SiC ионами Al+ при энергии 190 кэВ. Профили концентра- ции имплантированного алюминия по глубине получены с помощью метода вторич- ной ионной масс-спектрометрии, проведено сравнение с профилями, рассчитанными в программе SRIM. При помощи резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследована аморфизация структуры кристалла при имплантации в мишень при комнатной температуре и 400◦С. Показано, что флюенс 1015 см−2 полно- стью разупорядовачивает структуру кристалла при облучении мишени комнатной тем- пературы. Обнаружено, что при облучении нагретой до 400◦С мишени глубина проник- новения внедренной примеси возрастает. Повышение температуры мишени в процессе облучения приводит к рекомбинации значительного количества простейших дефектов и восстановлению структуры кристалла. Проведено сравнение топографии образцов до и после ионного облучения.