Исследование влияния магнитного поля на фазовый переход в антиферромагнитных пленках методом компьютерного моделирования

В статье проведено исследование влияния внешнего магнитного поля на температуру фазовых переходов в антиферромагнитных тонких пленках. Использован метод компьютерного моделирования для антиферромагнитной модели Изинга, имеющей геометрию тонкой пленки. Исследованы пленки с толщиной от 4 до 16 слоев. Показано, что температура антиферромагнитного фазового перехода убывает с ростом напряженности внешнего магнитного поля по квадратичному закону. Скорость убывания температуры зависит от толщины пленки и отношения обменных интегралов на поверхности и в основном объеме системы. Для каждой системы существует предельное значение напряженности магнитного поля, выше которого антиферромагнитный фазовый переход не происходит. Зависимость предельного значения напряженности магнитного поля от отношения обменных интегралов также носит квадратичный характер.