Рекристаллизация структуры карбида кремния при ионном облучении

Было проведено облучение карбида кремния ионами алюминия при энергии 190 кэВ с флюенсами 2*10$^{13}$ - 5*10$^{14}$ ион/см$^2$. Температура мишени в процессе облучения составляла 300-500 $^{\circ}$С или имела комнатные значения. Показано, что наличие азота в структуре карбида кремния размывает край межзонного поглощения. После облучения при комнатной температуре структура разупорядочивается с образованием Si-Si и C-C соединений, а также 3C-SiC. Согласно спектрам поглощения при увеличении температуры мишени во время облучения до 500 $^{\circ}$С происходит рекристаллизация структуры карбида кремния вплоть до исходного состояния.