Проведено облучение пористого кремния ионами аргона с энергиями из диапазона 100-400 кэВ и ионным флюенсом 10^12 см^(-2). Исследовано влияние ионного облучения при разных энергиях налетающих частиц на спектр фотолюминесценции пористого кремния. Показано, что спектр фотолюминесценции состоит из двух компонент, одна из которых объясняется присутствием дефектов в структуре, а другая – поверхностными состояниям на развитой поверхности пористого кремния. Предлагается метод оценки толщины люминесцирующего слоя, основанный на анализе пика фотолюминесценции, относящегося к дефектам.
$^1$Московский государственный университет имени М.В Ломоносова, физический факультет, кафедра физической электроники, кафедра физической электроники.\
$^2$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына (НИИЯФ МГУ)\
$^3$Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Центр квантовых технологий\
$^4$Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова (Ленина)
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.