Проведены исследования с целью изучения роста фитопатогенного гриба Rhizoctonia solani Kuhn., выращенного из склероциев, облученных различными дозами ускоренных электронов. Склероции подвергались облучению ускоренными электронами с энергией 1 МэВ дозами от 0.02 до 38 кГр. Воздействие изучаемых доз оказывает как ингибирующее, так и стимулирующее воздействие на рост R. solani. Дозы 0.04 и 0.6 кГр стимулируют рост колоний гриба R. solani в 1.1-1.2 раза (по сравнению с контрольными значениями). Облучение дозами 0.075, 0.15 и 0.9 кГр практически не приводит к отличию от контрольных значений. Доза 1.8 кГр привела к существенному замедлению развития гриба в течение первых 48 часов наблюдения. Значения поглощенной дозы свыше 4.5 кГр обеспечили полное подавление прорастания склероциев R. solani.
$^1$., кафедра физики ускорителей и радиационной медицины .\
$^2$Сибирский федеральный научный центр агробиотехнологий Российской академии наук\
$^3$Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.