Статья

Основные характеристики фотоприемников типа фотосопротивление на основе композита поли 3-гексилтиофен и наночастиц кремния

К. А. Савин$^{1,2}$, Э. С. Ибрагимов$^1$, А. С. Воронцов$^1$, М. Н. Мартышов, Е. А. Форш$^3$, П. А. Форш$^1$, И. В. Новиков$^1$

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2021. № 2. С. 20

Статья

Аннотация

В работе исследованы спектральные зависимости токовой чувствительности и кинетики нарастания и спада фотопроводимости фотосопротивлений на основе композита полимера поли 3-гексилтиофена и наночастиц кремния. Установлено, что введение кремниевых наночастиц позволяет в широких диапазонах варьировать как спектральный диапазон работы, так и токовую чувствительность фотосопротивлений на основе композита полимера поли 3-гексилтиофена. При этом временные характеристики исследованных в работе фотосопротивлений не уступают распространенным фотодетекторам на основе P3HT/фуллерен.

Поступила: 5 февраля 2021

Статья подписана в печать: 28 апреля 2021

PACS:

72.80.Le Polymers; organic compounds

English citation: The main characteristics of photodetectors of the photo-resistive type based on a composite of poly 3-hexylthiophene and silicon nanoparticles

K. A. Savin, E. S. Ibragimov, A. S. Vorontsov, M. N. Martyshov, E. A. Forsh, P. A. Forsh, I. V. Novikov

Авторы

К. А. Савин$^{1,2}$, Э. С. Ибрагимов$^1$, А. С. Воронцов$^1$, М. Н. Мартышов, Е. А. Форш$^3$, П. А. Форш$^1$, И. В. Новиков$^1$
$^1$Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники.\
$^2$Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН\
$^3$Московский автомобильно- дорожный государственный технический университет (МАДИ)

Выпуск 2, 2021

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.