Время релаксации, подвижность и эффективная масса 2ДЭГ в квантовых ямах InGaN/GaN по данным терагерцового плазмонного резонанса

Предложен новый подход к определению параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN. В основе лежит метод терагерцовой (ТГц) спектроскопии с временным разрешением, в рамках которого проводилась регистрация ТГц частот двумерных плазмонных резонансов, возбуждаемых в исследуемых образцах гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN фемтосекундными лазерными импульсами на длине волны 797 нм. Показано, что двумерный электронный газ, локализованный в квантовой яме InGaN/GaN, демонстрирует резонансное поведение в диапазоне частот от 1 – 5 ТГц. В процессе обработки ТГц – спектров обнаружен эффект перенормировки эффективной массы 2ДЭГ, а также модуляции фазы вблизи частот плазмонных резонансов с увеличением температуры образца от 90К до 170К. Предложенный метод является бесконтактным и может быть использован в широком диапазоне температур.