Annotation
Исследовалось лазерно-индуцированное дефектообразование в монокристаллах GaAs, исходная дефектность которых варьировалась посредством имплантации ионов $Ar^+$. Показано, что в зависимости от дозы имплантации лазерное излучение вызывает либо генерацию, либо отжиг центров. Обсуждается возможный механизм явления.
© 2016 Publisher M.V.Lomonosov Moscow State University
Authors
I.S. Begichev, Р.К. Кashkarov, and V.Yu. Тimoshenko
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Science News of the Faculty of Physics, Lomonosov Moscow State University
This new information publication, which is intended to convey to the staff, students and graduate students, faculty colleagues and partners of the main achievements of scientists and scientific information on the events in the life of university physicists.