Квантование свободного бозонного поля произвольного спина (случай m ≠0)
Квантование свободного бозонного поля произвольного спина (случай m ≠0)
А.П. Самохин, Д.А. Славнов
Проведено каноническое квантование поля с m ≠0 с произвольным целым спином. Получены формулы для перестановочных соотношений полей с любым целым спином, исправляющие соответствующие формулы Фирца.
Show AbstractКвантовые переходы электронов в сверхсильном магнитном поле
Квантовые переходы электронов в сверхсильном магнитном поле
А.А. Соколов, В.Ч. Жуковский, Н.С. Никитина
Получена вероятность испускания жесткого гамма-кванта при переходе релятивистского электрона на основной или близкий к нему уровень в магнитном поле $Н~Но= (m^{2}с^{3})/(e_{о}ħ) ≈ 4,41·10^{13}э. Для обратных переходов с этих уровней вычислено сечение фотовозбуждения электронов и показано, что оно максимально при Н=2Но.
Show AbstractДвижение пробных бесспиновых тел в заданном пространстве с кручением
Движение пробных бесспиновых тел в заданном пространстве с кручением
В.Н. Пономарев
В работе исследуется проблема геодезических линий пробных бесспиновых тел в пространствах с кручением. Показывается, что тензор кручения может оказать влияние на уравнения геодезических линий. Из сравнения полученных результатов с экспериментальными данными, касающимися классических эффектов общей теории относительности, получена верхняя граница для компонентов тензора кручения.
Show AbstractВлияние остаточных газов на прохождение тока через межэлектродный промежуток с виртуальным катодом
Влияние остаточных газов на прохождение тока через межэлектродный промежуток с виртуальным катодом
М.Н. Девятков, Г.И. Овчинникова
Рассматривается прохождение тока через межэлектродный промежуток, ток через который ограничен пространственным зарядом, в присутствии ионов остаточных газов. Экспериментально показано наличие компенсирующего действия ионов на электронный пространственный за ряд, приводящего к заметной трансформации вольтамперной характеристики промежутка.
Show AbstractСпектроскопические проявления кон центрационных эффектов в растворах родулиновых красителей
Спектроскопические проявления кон центрационных эффектов в растворах родулиновых красителей
Л.В. Лёвшин, Б.Д. Рыжиков, В.П. Савельев
В работе изучены концентрационные зависимости оптических свойств молекул красителей родулинового оранжевого NO и родулинового желтого 6Ж в водных растворах и установлена возможность образования их люминесцирующих ассоциатов при комнатной температуре. Возникновение таких ассоциатов объяснено объединением молекул красителей при помощи молекул воды, образующих с ними водородные связи. По температурным изменениям электронных спектров поглощения и люминесценции определены энергии связи ассоциированных молекул этих красителей.
Show AbstractПреобразование Пуанкаре в семимерном пространстве
Преобразование Пуанкаре в семимерном пространстве
Д.А. Славнов
Показано, что, если в пространстве Минковского для полного задания положения точки помимо обычных координат ввести еще единичный времениподобный вектор, то можно построить такие координаты τ и х, что при преобразованиях Пуанкаре они будут преобразовываться независимо, причем τ испытывает одномерные сдвиги, а х - трехмерные вращения и сдвиги.
Show AbstractК теории оптического поглощения в полупроводниках с одноименно заряженными примесными центрами
К теории оптического поглощения в полупроводниках с одноименно заряженными примесными центрами
В.М. Ярцев
Рассчитан коэффициент оптического поглощения при ионизации одноименно заряженных примесных центров. Рассмотрено влияние электрического поля на поглощение света с энергией кванта, меньшей энергии ионизации ловушки.
Show AbstractИсследование влияния отрицательной дисперсии при определении населенности уровней
Исследование влияния отрицательной дисперсии при определении населенности уровней
Эль Дессуки
Интерферическим методом и методом зондов исследована заселенность атомных уровней неона в чистом неоне и в гелий-неоновой смеси. Получены данные о заселенности ряда уровней неона в зависимости от тока разряда, давления, примеси гелия и электронной температуры. Обнаружено значительное влияние отрицательной дисперсии на заселенность уровней неона.
Show AbstractНепрямые оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках
Непрямые оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках
Б. Эссер
Вычисляется коэффициент поглощения неупорядоченного полупроводника α в случае непрямых переходов. Рассматривается случай гладкого случайного поля, действующего в неупорядоченном полупроводнике. Показано, что коэффициент поглощения имеет экспоненциальный хвост α=Аехр [S(ħω-ε_{g,i})], где А - постоянная, S - обратная характерная энергия и ε_{g,i}- непрямая ширина запрещенной зоны, по форме совпадающая с хвостом для прямых переходов. Глубоко в зоне коэффициент поглощения принимает обычную квадратичную зависимость
Show AbstractВнутренние поля в стибиотанталите
Внутренние поля в стибиотанталите
А.Ф. Волков, Н.Ф. Карякина, В.А. Копцик, В.К. Новик, А.А. Ратников
В работе содержатся результаты расчета внутренних полей и спонтанной поляризации в структуре стибиотанталита SbTaO_4, выполненного по статической модели точечных зарядов и точечных дипольных моментов. На основании полученных данных делаются выводы о сегнетоактивности подреш етки типа В в стибиотанталите.
Show Abstract