Наблюдаемые закономерности - изменение величины проводимости пленок a-Si:Н и ее энергии активации после предварительного освещения, а также подавление температурного гашения межзонной фотопроводимости и суперлинейности люкс-амперных характеристик - объяснены образованием добавочной концентрации оборванных связей кремния, которые в зависимости от положения равновесного уровня Ферми $E_F$ в пленке до освещения проявляют донорный или акцепторный характер и соответственно смещают $E_F$ вверх или вниз. Обсуждается модель рекомбинации.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.