Аннотация
Исследована электрическая нестабильность кремниевых МДП-структур в зависимости от количества электронов, инжектированных из кремния в слой $SiO_2$. Инжекция электронов осуществлялась методом лавинного пробоя приповерхностной области кремния.
English citation:
Yu.N. Kasumov and S.N. Kozlov.
Influence of electron injection from Si into $SiO_2$ on the electrical instability of metal- dielectric - semiconductor structures. Moscow University Physics Bulletin 1989. 1989. N 4. P. 88.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Ю.Н. Касумов, С.Н. Козлов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2