Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Влияние инжекции электронов из Si в $SiO_2$ на электрическую нестабильность МДП-структуры

Ю.Н. Касумов, С.Н. Козлов

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1989. № 4. С. 73

  • Статья
Аннотация

Исследована электрическая нестабильность кремниевых МДП-структур в зависимости от количества электронов, инжектированных из кремния в слой $SiO_2$. Инжекция электронов осуществлялась методом лавинного пробоя приповерхностной области кремния.

English citation:
Yu.N. Kasumov and S.N. Kozlov.
Influence of electron injection from Si into $SiO_2$ on the electrical instability of metal- dielectric - semiconductor structures.
Moscow University Physics Bulletin 1989. 1989. N 4. P. 88.
Авторы
Ю.Н. Касумов, С.Н. Козлов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 4, 1989

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.