Работа посвящена исследованию нагрева электронов в зоне проводимости кристалла под действием мощных фемтосекундных лазерных импульсов. Показано, что механизм нагрева электронов в зоне проводимости диэлектрика, основанный на многократных электрон-фотон-фононных рассеяниях, может быть малоэффективным при возбуждении ряда диэлектриков (в частности CsI) ультракороткими лазерными импульсами с интенсивностью выше $10^{11}$ Вт/см$^2$. Для описания нагрева электронов такими импульсами до энергии в несколько десятков электрон-вольт, предложен механизм, учитывающий прямые межветвевые переходы в зоне проводимости.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра оптики и спектроскопии. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.