Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

Исследования логического состояния интегральных микросхем методами атомной силовой микроскопии

А.М. Тагаченков

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2010. № 3. С. 59

  • Статья
Аннотация

Проведены исследования по определению и анализу логического состояния ячеек памяти микроконтроллера без удаления пассивирующих покрытий с использованием методов атомно-силовой микроскопии. Выбрана эффективная оптимальная методика регистрации электрического потенциала на поверхности интегральных микросхем.

Поступила: 14 декабря 2009
Статья подписана в печать: 23 июня 2010
PACS:
07.79.Lh Atomic force microscopes
42.82.Cr Fabrication techniques; lithography, pattern transfer
85.40.-e Microelectronics: LSI, VLSI, ULSI; integrated circuit fabrication technology
Авторы
А.М. Тагаченков
Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН. Россия, 119991, Москва, Ленинский просп., д. 32А
Выпуск 3, 2010

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.