Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Особенности частотной зависимости бесфононной прыжковой проводимости

М.А. Ормонт

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2012. № 5. С. 31

  • Статья
Аннотация

В рамках теории возмущений проведен расчет мнимой части бесфононной проводимости слаболегированного компенсированного полупроводника. Показано, что при использовании базиса локализованных функций атомного типа суперлинейной частотной зависимости вещественной части проводимости соответствует частотная зависимость мнимой части проводимости близкая к линейной. Найдено, что при частотах меньших частоты перехода (кроссовера) $\omega_{\rm cr}$ от линейной к квадратичной частотной зависимости вещественной части проводимости, тангенс угла диэлектрических потерь слабо зависит от частоты и определяется отношением $\hbar\omega_{\rm cr}$ к ширине примесной зоны. Показано, что из измерений тангенса угла диэлектрических потерь можно получить информацию о радиусе локализации примесных состояний.

Поступила: 12 апреля 2012
Статья подписана в печать: 2 ноября 2012
PACS:
72.20.Ee Mobility edges; hopping transport
English citation:
M.A. Ormont.
The special features of the frequency dependence of phononless hopping conduction.
Moscow University Physics Bulletin 2012. 67. N 5. P. 443.
Авторы
М.А. Ормонт
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 5, 2012

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.