Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Effect of Incidence Angle on the Electrical Parameters of Vertical Parallel Junction Silicon Solar Cell under Frequency Domain

Gökhan Sahin

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2016. № 5.

  • Статья
Аннотация

In this paper, a theorical study of effect of incidence angle on the electrical parameters of vertical parallel junction silicon solar cell illuminated by its rear side under frequency domain has been done. The continuity equation resolution leads to excess minority carriers density, determination with permits us to deduce photocurrent density, photovoltage derived series resistance, shunt resistances, power , the space charge region capacitance and finally conversion efficiency. The aim of this article is to show the how effects of both modulation frequency and illuminated incidence angle on these electrical parameters, power and space charge region capacitance.

Поступила: 23 марта 2016
Статья подписана в печать: 4 июля 2016
PACS:
70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
40.00.00 ELECTROMAGNETISM, OPTICS, ACOUSTICS, HEAT TRANSFER, CLASSICAL MECHANICS, AND FLUID DYNAMICS
60.00.00 CONDENSED MATTER: STRUCTURAL, MECHANICAL, AND THERMAL PROPERTIES
Авторы
Gökhan Sahin
Igdir University, Turkey
Выпуск 5, 2016

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.