Связанные состояния положительных ионов водорода в поле поверхности металла
Связанные состояния положительных ионов водорода в поле поверхности металла
О.С. Еркович, В.В. Комаров, А.М. Попова
Рассматривается взаимодействие положительных ионов водорода с поверхностью металла путем анализа структуры электронного газа в системе «металл+протон». Расчеты проводились в рамках метода многочастичных функционалов плотности. Получены результаты для энергий связи атомов и ионов водорода с поверхностью, положений равновесия и вибрационных энергий протона в поле поверхности. Используемый метод, являясь обобщением метода функционалов плотности, обладает существенно большими возможностями при описании неоднородных ферми-систем за счет более точного описания обменно-корреляционных эффектов.
Показать АннотациюОптические характеристики полупроводникового слоя с сильной зависимостью проводимости от напряженности электрической компоненты поля волны
Оптические характеристики полупроводникового слоя с сильной зависимостью проводимости от напряженности электрической компоненты поля волны
М.И. Акимов, А.В. Козарь
Представлена оригинальная простая модель, описывающая оптические свойства веществ, на поверхности которых под воздействием падающей волны возникает диэлектрический пробой. Численные расчеты показали, что в такой системе может возникнуть самовоздействие падающей волны. Дано сравнение с экспериментальными наблюдениями самовоздействия в случае постоянного электрического поля.
Показать АннотациюРадиальное распределение параметров плазмы в положительном столбе тлеющего разряда в парах иода низкого давления
Радиальное распределение параметров плазмы в положительном столбе тлеющего разряда в парах иода низкого давления
Л.М. Волкова, А.М. Девятов, М.К. Таракджи
В положительном столбе разряда в парах иода низкого давления измерено радиальное распределение потенциала плазмы и заряженных частиц. Дается качественное объяснение экспериментальных данных. Результаты работы согласуются с полученными Дж. Б. Томпсоном зависимостями потенциала плазмы и заряженных частиц от радиальных координат.
Показать АннотациюОптимизация построения гистограмм и спектрограмм
Оптимизация построения гистограмм и спектрограмм
А.Г. Вологдин, В.Д. Гусев
Для задач построения гистограмм (экспериментальных функций распределения вероятности) и спектрограмм (экспериментальных спектральных плотностей) решен вопрос минимизации суммарной ошибки, состоящей из статистической ошибки и ошибки аппроксимации. Показано, что относительная суммарная ошибка может быть существенно уменьшена при оптимальном выборе интервала группировки. Для некоторых видов распределений вероятности приведены конкретные результаты расчетов.
Показать АннотациюТемпературные изменения спектральных характеристик водных растворов глицилтриптофана
Температурные изменения спектральных характеристик водных растворов глицилтриптофана
Л.И. Иваньян, Л.В. Левшин, Б.Д. Рыжиков
Показано, что наблюдаемые изменения интенсивности комбинационного рассеяния света и люминесценции при изменении температуры водных растворов глицилтриптофана зависят от предыстории раствора. При изменении температуры происходит деструкция раствора, при этом для установления новой равновесной структуры при фиксированной температуре требуется более 14 часов.
Показать АннотациюДинамические эффекты при отражении волновых пучков сложного профиля от нелинейного слоя с задним зеркалом
Динамические эффекты при отражении волновых пучков сложного профиля от нелинейного слоя с задним зеркалом
С.Д. Куницын, А.П. Сухоруков, В.А. Трофимов
Рассматривается неколлинеарное взаимодействие падающего и отраженного от зеркала пучков в нелинейном слое. Анализируются искажения траекторий центров тяжести пучков в зависимости от угла падения и начального профиля интенсивности. Выявлены условия возникновения и характер автоколебаний пучков в нелинейном слое.
Показать АннотациюУсиление магнитоупругого и магнитоэлектрического взаимодействий в сегнетоантиферромагнетиках с орторомбической симметрией
Усиление магнитоупругого и магнитоэлектрического взаимодействий в сегнетоантиферромагнетиках с орторомбической симметрией
Б.И. Садовников, М.X. Харрасов, А.У. Абдуллин
Рассмотрено взаимодействие спиновых волн с упругими и сегнетоэлектрическими волнами в сегнетоантиферромагнетиках с орторомбической симметрией. Показана возможность обменного усиления параметров магнитоупругого и магнитоэлектрического взаимодействий при определенных величине и ориентации внешнего магнитного поля относительно кристаллографических осей.
Показать АннотациюВлияние магнитных взаимодействий на диффузионную проницаемость полимерных мембран
Влияние магнитных взаимодействий на диффузионную проницаемость полимерных мембран
В.А. Кривов, В.А. Сараев, В.П. Пискорский, Л.И. Рябых, О.И. Сетюков, П.Н. Стеценко, Э.К. Кондратов
Исследовано влияние внешнего магнитного поля на диффузионную проницаемость полимерных мембран в процессе встречной диффузии (диффузанты $Н_20$ и $D_2O$, а также $С_2Н_5ОН$ и $C_2D_5OD$). В качестве мембран использовались пленки полиэтилена толщиной 50 мкм. Для определения влияния внешнего магнитного поля эксперименты проводились при H = 0,01; 1 и 60 Э. Время экспозиции составляло 90 сут. Установлено, что на диффузионную проницаемость полимерных мембран помимо изотопного состава диффузанта существенное влияние оказывает также напряженность внешнего магнитного поля.
Показать АннотациюСтатистическая теория дифракции рентгеновских лучей в твердотельных сверхрешетках со случайными флуктуациями параметров структуры
Статистическая теория дифракции рентгеновских лучей в твердотельных сверхрешетках со случайными флуктуациями параметров структуры
И.Р. Прудников
Развита статистическая теория кинематической рентгеновской дифракции в полупроводниковых композиционных сверхрешетках (CP) $GaAs/Al_xGa_{1-x}As$, $GaAs/GaAs_xP_{1-x}$ и т. д. со случайными флуктуациями толщины периода или концентрации твердого раствора в слоях СР. Получены аналитические выражения для угловых зависимостей когерентной и некогерентной (диффузной) компонент интенсивности рассеянного излучения. Приведены оценки влияния диффузного поглощения когерентного поля в CP на интенсивности сателлитов.
Показать АннотациюРаспыление на прострел монокристалла нитрида бора
Распыление на прострел монокристалла нитрида бора
В.А. Эльтеков, Н.Н. Негребецкая
С помощью динамической модели блока атомов исследован процесс распыления на прострел графитоподобного нитрида бора ионами аргона с энергией $Е_0= 0,3—4$ кэВ, падающими на грань (0001). Рассчитаны интегральные и дифференциальные характеристики распыления на прострел. Расчет показывает, что преимущественно распыляются атомы азота. Картина угловых распределений эмитированных атомов имеет симметрию третьего порядка. Обсуждаются механизмы распыления на основе различных моделей структуры мишени BN(0001).
Показать Аннотацию