К вопросу о нелинейных ультразвуковых методах оценки прочности хрупких материалов
К вопросу о нелинейных ультразвуковых методах оценки прочности хрупких материалов
Л.К. Зарембо, В.А. Красильников, И.Э. Школьник
Показано, что по эффективным упругим модулям второго, третьего и четвертого порядков может быть оценена прочность на растяжение и сжатие хрупких материалов.
Показать АннотациюИзмерения скорости и поглощения гиперзвука в тонких пленках импедансным методом
Измерения скорости и поглощения гиперзвука в тонких пленках импедансным методом
К.Н. Баранский, 3.А. Магомедов, С.В. Павлов, И.В. Паламарчук, Г.А. Север, А.Д. Шпилькин
Рассмотрены особенности применения импедансного метода акустических измерений скорости и поглощения звука в тонких пленках. Предложена методика определения скорости и коэффициента поглощения звука для случаев отражения от одного и от двух тонких слоев.
Показать АннотациюЭмиссия быстрых электронов при бомбардировке тонких монокристаллов вольфрама и молибдена ионами $Ar^+$
Эмиссия быстрых электронов при бомбардировке тонких монокристаллов вольфрама и молибдена ионами $Ar^+$
Э.Э. Азизов, В.Г. Бабаев, Н.Б. Брандт, В.А. Маштакова
Измерены энергетические спектры электронов, эмиттируемых тонкими монокристаллами вольфрама и молибдена со стороны, противоположной бомбардируемой ионами аргона.
Показать АннотациюО слабосвязанных состояниях системы двух частиц во внешнем поле
О слабосвязанных состояниях системы двух частиц во внешнем поле
В.В. Комаров, А.М. Попова, В.Г. Айрапетян
Предложен метод оценки числа слабосвязанных состояний оператора энергии системы двух квантовомеханических частиц во внешнем поле.
Показать АннотациюРезонансная фотоионизация гелиеподобных ионов в области между вторым и третьим порогами. Гелиеподобный литий
Резонансная фотоионизация гелиеподобных ионов в области между вторым и третьим порогами. Гелиеподобный литий
С.М. Бурков, Н.А. Летяев, С.И. Страхова
Рассчитаны полные и парциальные сечения фотоионизации иона $Li^+$, параметры резонансов в полных и парциальных сечениях, коэффициент анизотропии в угловом распределении фотоэлектронов и выстроенность иона $Li^{+ +}$ в состоянии n=2 в области между вторым и третьим порогами.
Показать АннотациюРидберговские атомы и получение мононаправленных электронов
Ридберговские атомы и получение мононаправленных электронов
В.А. Намиот, Е.П. Скороход
Показано, что при определенных условиях электроны, получаемые при ионизации ридберговских атомов, будут обладать высокой монохроматичностью по энергиям и малым угловым разбросом.
Показать АннотациюСтохастическая модуляция в контуре с МДП-структурой, облучаемой светом
Стохастическая модуляция в контуре с МДП-структурой, облучаемой светом
В.Ф. Марченко
Рассмотрен механизм возникновения стохастической модуляции в резонансном контуре, в котором в качестве емкости используется МДП-структура, облучаемая светом, Экспериментально обнаружены области стохастизации колебаний на участке неоднозначности резонансной кривой.
Показать АннотациюО границах применимости приближения геометрической оптики в случайно-неоднородных средах
О границах применимости приближения геометрической оптики в случайно-неоднородных средах
В.Д. Гусев, Е.В. Петухова, Л.И. Приходько
На основе условия непересекаемости лучей предложен новый критерий применимости метода геометрической оптики в случайно-неоднородных средах. Полученное условие расширяет возможности метода при решении задач рассеяния.
Показать АннотациюПараметрическое преобразование СВЧ-колебаний и ультразвука в диэлектрических резонаторах из $KTaO_3$
Параметрическое преобразование СВЧ-колебаний и ультразвука в диэлектрических резонаторах из $KTaO_3$
Г.В. Белокопытов, И.В. Иванов, В.Н. Семененко, В.А. Чистяев
В диэлектрических резонаторах из танталата калия экспериментально реализованы параметрические эффекты, обусловленные электрострикцией: преобразование ультразвукового сигнала в СВЧ-сигнал и параметрическое усиление колебаний СВЧ.
Показать АннотациюЗависимость пространственного разрешения в режиме локальной катодолюминесценции в растровом электронном микроскопе от значений электрофизических параметров образца
Зависимость пространственного разрешения в режиме локальной катодолюминесценции в растровом электронном микроскопе от значений электрофизических параметров образца
А.Р. Гареева, В.И. Петров, Г.А. Чижов
Выполнен расчет в приближении точечного источника генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике. Показано, что пространственное разрешение зависит не только от диффузионной длины неосновных носителей, но и от скорости поверхностной рекомбинации и степени поглощения излучения в веществе.
Показать Аннотацию