Эффективный лагранжиан для безмассовых кварков во внешнем неабелевом хромомагнитном поле
Эффективный лагранжиан для безмассовых кварков во внешнем неабелевом хромомагнитном поле
Б.В. Магницкий, А.В. Татаринцев
Получены эффективные лагранжианы для безмассовых кварков при ненулевых температурах. Рассмотрены случаи двух различных конфигураций хромомагнитного поля и изоспинов частиц I = 0, 1/2.
Показать АннотациюХиггсовский вакуум в теории гравитации
Хиггсовский вакуум в теории гравитации
Г.А. Сарданашвили, Б.Л. Ихлов
Исходя из описания гравитационного поля как хиггс-голдстуоновского в калибровочной теории гравитации, предсказывается существование и строится модель хиггсовского гравитационного вакуума, материальным источником которого может служить хиггсовский вакуум материальных полей.
Показать АннотациюЧувствительность пробного осциллятора при непрерывном слежении за числом квантов
Чувствительность пробного осциллятора при непрерывном слежении за числом квантов
Ф.Я. Халили
Проанализирован процесс обнаружения классической внешней силы, действующей на квантовый пробный осциллятор, к которому подключена система непрерывного слежения за числом квантов. Показано, что обратное влияние системы слежения не уменьшает чувствительности, если время выделения сигнала больше времени действия силы.
Показать АннотациюМетод расчета параметров резонансных состояний в многоканальной кулоновско-ядерной задаче рассеяния
Метод расчета параметров резонансных состояний в многоканальной кулоновско-ядерной задаче рассеяния
А.Н. Сафронов
Предложено обобщение метода Ланде, с помощью которого выделяются кулоновские сингулярности в многоканальных уравнениях Липпмана—Швингера на нефизических листах в комплексной плоскости энергии. Получена система линейных алгебраических уравнений, решение которой определяет модельно-независимые параметры резонансных состояний в кулоновско-ядерной задаче рассеяния.
Показать АннотациюФазовое движение в классическом микротроне вблизи нелинейных резонансов
Фазовое движение в классическом микротроне вблизи нелинейных резонансов
В.К. Гришин, М.А. Сотников, В.И. Шведунов
Анализируется (аналитически и численно) фазовое движение в классическом микротроне. Приводятся результаты расчетов областей устойчивых фазовых колебаний для различных равновесных фаз. Показана опасность возникновения резонанса четвертого порядка, приводящего к дроблению ускоряемого сгустка: на основании этого делается выбор оптимальной равновесной фазы.
Показать АннотациюНарушение скейлинга в квазиэйкональной модели сверхкритического померона
Нарушение скейлинга в квазиэйкональной модели сверхкритического померона
М.3. Иофа, А.Е. Пухов
Эффект нарушения фейнмановского скейлинга в процессах $pA\to hX$ вычислен в области энергий налетающей частицы $E=5\cdot 10^3-5\cdot 10^9$ ГэВ для $h=p, \pi^{\pm}, A = ^1H, ^{14}N$. В качестве теоретической модели сильных взаимодействий использовалась квазиэйкональная модель сверхкритического померона.
Показать АннотациюМодификация приближения Бринкмана-Крамерса с учетом кулоновских искажений
Модификация приближения Бринкмана-Крамерса с учетом кулоновских искажений
Ю.А. Шурыгина, М.И. Карбованец, А.М. Попова, Я.А. Теплова
Проведена модификация приближения Бринкмана-Крамерса на основе метода искаженных волн, что позволило представить сечение электронного захвата в виде произведения ОБК сечения на коэффициенты $\alpha$ и $\beta$, описывающие искажение волновых функций электрона за счет взаимодействия с атомом мишени в выходном канале и с налетающим ионом во входном канале соответственно. Показана важность учета искажений как во входном, так и в выходном каналах при малых и средних энергиях.
Показать АннотациюДифракционная томография в зоне Френеля
Дифракционная томография в зоне Френеля
В.Е. Куницын
Рассмотрена задача томографической реконструкции показателя преломления с учетом слабых рефракционных и дифракционных эффектов в рамках известных в теории волн приближений: метода плавных возмущений и борновского приближения. Использованное в работе френелевское малоугловое приближение позволило получить сравнительно несложный алгоритм обработки поля и свести задачу дифракционной томографии к задаче традиционной томографической реконструкции по линейным интегралам.
Показать АннотациюЭффект насыщения в фотовозбужденном вырожденном полупроводнике
Эффект насыщения в фотовозбужденном вырожденном полупроводнике
Л.В. Васильева, Т.М. Ильинова, Г.А. Чердынцева
Рассмотрен режим насыщения в полупроводнике, резонансно возбуждаемом импульсом света с длительностью, большей времени формирования вырожденного фермиевского распределения. Получены аналитические выражения для концентрации, средней энергии и положения квазиуровней Ферми свободных носителей. Рассмотрены случаи тяжелых и легких дырок.
Показать АннотациюВлияние заряженных дефектов в системе полупроводник-молекулярно-наслоенный диэлектрик на спектры флуоресценции адсорбированных молекул
Влияние заряженных дефектов в системе полупроводник-молекулярно-наслоенный диэлектрик на спектры флуоресценции адсорбированных молекул
В.А. Беспалов, В.Е. Дрозд, Л.В. Левшин, Г.С. Плотников, А.М. Салецкий, В.И. Южаков
Изучалось влияние заряженных локальных дефектов на спектры флуоресценции молекул эритрозина, адсорбированных на поверхности структур типа полупроводник - молекулярно-наслоенный диэлектрик ($HfO_2, TiO_2, Nb_2O_5 , V_2O_5 , Cr_2O_3$). Обнаружены эффекты сдвига спектров в поле заряженных центров различного знака и различной природы.
Показать Аннотацию