В.Б. Гостев, В.С. Минеев, А.Р. Френкин

Методом обратной спектральной задачи исследованы потенциалы, приводящие к эквидистантному спектру. С помощью опорного потенциала гармонического осциллятора с центробежным барьером найден класс потенциалов с эквидистантными уровнями энергии, совпадающими с уровнями опорного потенциала. Найдены новые собственные функции. Приведены асимптотические выражения для потенциала и волновых функций. Исследован случай включения дополнительного уровня. Рассмотренный способ восстановления потенциала может быть применен и в случае произвольно расположенных уровней энергии.

В.В. Остробородова, Л.Г. Радовильская

При комнатной температуре исследованы закономерности изменения фоточувствительности(ФЧ) кристаллов GaAs(Cr) спектральными и интегральными подсветками. Обнаружена невоспроизводимость спектрального фотоответа $i_{\text{м}}$ в максимуме собственной ФЧ. Из того что временная релаксация $\rho _{T}(t), \mu^{*}_{nT}(t)$ после засветок в области примесного эффекта гашения (ЭГ) идет в течение суток, сделано заключение о важной роли глубоких доноров в формированиrи ФЧ GaAs(Cr), а также о наличии в $n$-образцах компенсационной неоднородности, связанной с сильным заполнением рабочих уровней электронами. Показано, что эффекты стимуляции могут быть обусловлены ликвидацией неоднородности подсветкой, даже такой, которая при больших $I$ вызывает ЭГ преимущественной генерацией дырок.

В.П. Кандидов, В.И. Леденев

В.Я. Панченко, И.М. Сизова, А.П. Сухоруков

К.В. Шайтан

С.Д. Антипов, Л.А. Кондрашова, П.Н. Стеценко

А.А. Карабутов

В.И. Шестаков

Г.С. Асанов

В.И. Балакший