А.И. Пильщиков, Г.Ф. 3ахаров

Р.П. Васильева, С. Язлиев, Я. Кадыров

Ю.И. Горбатов, Е.С. Кофанов, Н.К. Шелковников

А.Г. Федосеев

С.К. Исаев, Л.С. Корниенко, Е.Г. Ларионцев

В.В. Мурина, Н.М. Андреева, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов

А.Ф. Волков, Н.Ф. Карякина, В.А. Копцик, В.К. Новик, А.А. Ратников

В работе содержатся результаты расчета внутренних полей и спонтанной поляризации в структуре стибиотанталита SbTaO_4, выполненного по статической модели точечных зарядов и точечных дипольных моментов. На основании полученных данных делаются выводы о сегнетоактивности подреш етки типа В в стибиотанталите.

Б. Эссер

Вычисляется коэффициент поглощения неупорядоченного полупроводника α в случае непрямых переходов. Рассматривается случай гладкого случайного поля, действующего в неупорядоченном полупроводнике. Показано, что коэффициент поглощения имеет экспоненциальный хвост α=Аехр [S(ħω-ε_{g,i})], где А - постоянная, S - обратная характерная энергия и ε_{g,i}- непрямая ширина запрещенной зоны, по форме совпадающая с хвостом для прямых переходов. Глубоко в зоне коэффициент поглощения принимает обычную квадратичную зависимость

Эль Дессуки

Интерферическим методом и методом зондов исследована заселенность атомных уровней неона в чистом неоне и в гелий-неоновой смеси. Получены данные о заселенности ряда уровней неона в зависимости от тока разряда, давления, примеси гелия и электронной температуры. Обнаружено значительное влияние отрицательной дисперсии на заселенность уровней неона.

В.М. Ярцев

Рассчитан коэффициент оптического поглощения при ионизации одноименно заряженных примесных центров. Рассмотрено влияние электрического поля на поглощение света с энергией кванта, меньшей энергии ионизации ловушки.