Е.П. Свирина, М.С. Алиева, И.В. Алексухина

Исследованы эффекты Холла и Нернста— Эттингсгаузена (Н.Э.) магнетита в широком температурном интервале (120—650° К). Показано, что температурная зависимость электросопротивления магнетита определяется изменением числа основных носителей тока, а не их подвижности, как это считалось ранее. Спонтанный коэффициент Холла Rs с изменением температуры зависит от концентрации носителей и рассеяния их на магнитных неоднородностях основной рассеивающей системы. В исследуемом температурном интервале отношение коэффициентов Нернста—Эттингсгаузена Qs/Qo линейно зависит от отношения коэффициентов Холла Rs/Ro. Полученные экспериментальные результаты позволяют считать, что для объяснения электрической проводимости(магнетита могут быть привлечены зонные представления.

Н.Д. Борисов

В рамках S-матричного подхода рассматриваются связанные состояния и состояния рассеяния в системах с переменным числом частиц. S-матрица ищется в виде разложения по нормальным произведениям операторов. Осуществляется переход от неоднородной системы зацепляющихся уравнений для элементов S -матрицы к однородной, с помощью которой можно находить собственные значения энергии и вероятности различных процессов в исследуемой системе.

Е.М. Дубинина, К.И. Пузанков

Исследован ионный источник с магнитным полем и ионизацией электронным ударом, работавший на Не. Сняты зависимости выходного тока и энергетического разброса ионов от давления, уровня электронного тсжа, энергии электронов и величины магнитного поля. Получена плотность ионного тока ∼12 ма/см2 при вытягивающем напряжении 2,4 кв. Средний энергетический разброс ионов составляет 15 эв.

В.К. Петерсон

Проведено вблизи дна зоны проводимости исследование массового оператора причинной функции Грина в задаче рассеяния электронов проводимости на хаотически расположенных примесных центрах. Показана неприменимость обычной теорию возмущений, и разработан особый асимптотический метод решения задачи в пределе малой константы взаимодействия. Показано, что для достаточно слабого взаимодействия мнимая часть массового оператора возникает в некоторой точке Ео, имеющей характер точки ветвления второго порядка. Сдвиг дна зоны наряду с членами порядка β^2, β^3, β^4 и т. д. содержит неаналитический по константе взаимодействия член порядка β^4lnβ. Точка Ео, в которой — Ep + ReM(0; Ер) = 0, не совпадает с точкой Е0, так как сдвинута в сторону больших значений энергии.

К.Т. Макаров

В работе исследовано поведение магнитной вязкости монокристалла марганцевого феррита в кристаллических направлениях [110] и [lOO] в интервале температур от — 196° до точки Кюри.

М.У. Сагитов

Показано, что при определении постоянной тяготения могут возникнуть существенные ошибки за счет неоднородности гравитационного поля помещения, где проводится эксперимент. Для учета этого эффекта нужна точная регистрация амплитуды крутильных колебаний и необходимо знать, хотя бы грубо, гравитационное поле помещения.

A.М. Григорьев

Определена функция подвижности, описан алгоритм настройки с использованием функции подвижности и приведен пример.

Р.Н. Кузьмин, А.В. Колпаков, Г.С. Жданов

Рассмотрен вопрос о рассеянии тормозного излучения рентгеновской трубки ядрами с низколежащими резонансными уровнями. Показано, что с помощью кристаллического монохроматора, содержащего такие ядра, из сплошного спектра можно выделить сверхмонохроматическое излучение с шириной линии порядка ширины резонанса. Проведена оценка интенсивности монохроматизированного излучения.

B.Г. Багров, Ю.И. Клименко

В работе методами классической теории рассматривается линейная поляризация излучения, возникающего при движении заряженной частицы по произвольной траектории. Плоскость поляризации выбрана произвольно. Проанализированы некоторые частные случаи выбора поляризации и показано, что в мгновенном излучении при любой скорости частицы только малая часть излучения приходится на компонент, в котором электрический вектор поля излучения ортогонален ускорению. Рассмотрена средняя по времени поляризация излучения заряда, движущегося в слабой электромагнитной волне.

Фам Тэ Тхэ