The nernst-ettinghausen thermomagnetiс effect and the thermo-ep1f in iron-cobalt alloys
The nernst-ettinghausen thermomagnetiс effect and the thermo-ep1f in iron-cobalt alloys
R.P. Vasil'eva, S. Yazliev, and Ya. Kadyrov
Time variation in the vertical distribution of the temperature gradients near the sea floor
Time variation in the vertical distribution of the temperature gradients near the sea floor
Yu.I. Gorbatov, E.S. Kofanov, and N.K. Shelkovnikov
The polyharmonic state in a symmetrical tunnel-diode oscillator
The polyharmonic state in a symmetrical tunnel-diode oscillator
A.G. Fedoseev
The continuous-wave emission of a CaF_2-Dy^{2+}laser with a hemispherical cavity
The continuous-wave emission of a CaF_2-Dy^{2+}laser with a hemispherical cavity
S.K. Isaev, L.S. Kornienko, and E.G. Lariontsav
Effects of heating on oxygen on the surface recombination rate in silicon
Effects of heating on oxygen on the surface recombination rate in silicon
V.V. Murina, N.M. Andreeva, and Yu.F. Novototskii-Vlasov
Преобразование Пуанкаре в семимерном пространстве
Преобразование Пуанкаре в семимерном пространстве
Д.А. Славнов
Показано, что, если в пространстве Минковского для полного задания положения точки помимо обычных координат ввести еще единичный времениподобный вектор, то можно построить такие координаты τ и х, что при преобразованиях Пуанкаре они будут преобразовываться независимо, причем τ испытывает одномерные сдвиги, а х - трехмерные вращения и сдвиги.
Show AbstractК теории оптического поглощения в полупроводниках с одноименно заряженными примесными центрами
К теории оптического поглощения в полупроводниках с одноименно заряженными примесными центрами
В.М. Ярцев
Рассчитан коэффициент оптического поглощения при ионизации одноименно заряженных примесных центров. Рассмотрено влияние электрического поля на поглощение света с энергией кванта, меньшей энергии ионизации ловушки.
Show AbstractИсследование влияния отрицательной дисперсии при определении населенности уровней
Исследование влияния отрицательной дисперсии при определении населенности уровней
Эль Дессуки
Интерферическим методом и методом зондов исследована заселенность атомных уровней неона в чистом неоне и в гелий-неоновой смеси. Получены данные о заселенности ряда уровней неона в зависимости от тока разряда, давления, примеси гелия и электронной температуры. Обнаружено значительное влияние отрицательной дисперсии на заселенность уровней неона.
Show AbstractНепрямые оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках
Непрямые оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках
Б. Эссер
Вычисляется коэффициент поглощения неупорядоченного полупроводника α в случае непрямых переходов. Рассматривается случай гладкого случайного поля, действующего в неупорядоченном полупроводнике. Показано, что коэффициент поглощения имеет экспоненциальный хвост α=Аехр [S(ħω-ε_{g,i})], где А - постоянная, S - обратная характерная энергия и ε_{g,i}- непрямая ширина запрещенной зоны, по форме совпадающая с хвостом для прямых переходов. Глубоко в зоне коэффициент поглощения принимает обычную квадратичную зависимость
Show AbstractВнутренние поля в стибиотанталите
Внутренние поля в стибиотанталите
А.Ф. Волков, Н.Ф. Карякина, В.А. Копцик, В.К. Новик, А.А. Ратников
В работе содержатся результаты расчета внутренних полей и спонтанной поляризации в структуре стибиотанталита SbTaO_4, выполненного по статической модели точечных зарядов и точечных дипольных моментов. На основании полученных данных делаются выводы о сегнетоактивности подреш етки типа В в стибиотанталите.
Show Abstract