Аннотация
Показано, что в релаксационном полупроводнике может возникать дополнительное статическое случайное поле под действием внешнего электрического поля и света.
English citation: A photoinduced random field in a relaxation semiconductor
Yu.P. Drozhzhov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Ю.П. Дрожжов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.