Краткое сообщение

Исследование плотности локализованных электронных состояний в аморфном гидрированном кремнии методом частотной дисперсии емкости барьера Шоттки

Р.В. Прудников

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1989. № 6. С. 87

Статья

Аннотация

Показано, что кривые частотной дисперсии емкости барьера Шоттки на аморфных полупроводниках можно использовать для расчета распределения плотности электронных локализованных состояний в запрещенной зоне. Показано удовлетворительное согласие полученных результатов с известными из литературы.

English citation: Investigating the density of localized electron states in amorphous hydrogenized silicon bу the method of frequency dispersion of the Schottky-barrier capacitance

R.V. Prudnikov

Авторы

Р.В. Прудников
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 6, 1989

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.