Аннотация
Предложен новый (дефектно-деформационный) механизм образования субграниц при лазерной перекристаллизации полупроводниковых пленок. На его основе развита теория, дающая явное аналитическое выражение для расстояния между субграницами как функции толщины пленки и скорости движения зоны расплава. Полученные теоретические результаты хорошо согласуются с экспериментальными фактами.
English citation: The defect-strain theory of formation of subboundaries during crystallization of semiconductor films
V.I. Emelyanov, A.A. Sumbatov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.И. Емельянов, А.А. Сумбатов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2 Институт кристаллографии АН СССР. Россия, 119333, Москва, Ленинский проспект, д. 59
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2 Институт кристаллографии АН СССР. Россия, 119333, Москва, Ленинский проспект, д. 59
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.