Влияние концентрации легирующих примесей на проводимость, фотопроводимость и коэффициент поглощения компенсированного $\alpha-Si:H$

Исследовано влияние уровня легирования и степени компенсации на электрические, фотоэлектрические и оптические свойства компенсированного гидрированного аморфного кремния ($\alpha-Si:H$). Полученные результаты объясняются влиянием положения уровня Ферми и вызванных введением примесей крупномасштабных флуктуаций потенциала на величину коэффициента поглощения $(\alpha)$ и фотопроводимости $(\sigma_{ph})$ и форму зависимостей $\alpha(h\nu)$ и $\sigma_{ph}(T)$.