Аннотация
Спектральные зависимости фототока кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами со средней энергией 1.6 МэВ, измерены компенсационным электрическим методом в диапазоне энергий фотонов 1.1-1.6 эВ. Показано, что с большой точностью ($1\div2$\%) измеренные спектры согласуются со спектрами, рассчитанными с учетом неоднородности дефектного слоя, созданного протонами. Использованный метод расчета позволяет определить толщину дефектного слоя, среднее время жизни неосновных носителей заряда в этом слое, а также получить информацию о характере распределения дефектов в нем.
English citation: Analysis of nonuniform distributions of defects in proton-irradiated silicon photoelectric transducers
O.G. Koshelev, V.A. Morozova, G.M. Grigor'eva, K.N. Zvyagina, and A.V. Spasskii
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова, Г.М. Григорьева, К.Н. Звягина, А.В. Спасский
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников; НИИЯФ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников; НИИЯФ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2