Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Анализ неоднородных распределений дефектов в кремниевых фотопреобразователях, облученных протонами

О.Г. Кошелев, В.А. Морозова, Г.М. Григорьева, К.Н. Звягина, А.В. Спасский

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 2004. № 6. С. 50

  • Статья
Аннотация

Спектральные зависимости фототока кремниевых фотопреобразователей, облученных протонами со средней энергией 1.6 МэВ, измерены компенсационным электрическим методом в диапазоне энергий фотонов 1.1-1.6 эВ. Показано, что с большой точностью ($1\div2$\%) измеренные спектры согласуются со спектрами, рассчитанными с учетом неоднородности дефектного слоя, созданного протонами. Использованный метод расчета позволяет определить толщину дефектного слоя, среднее время жизни неосновных носителей заряда в этом слое, а также получить информацию о характере распределения дефектов в нем.

English citation: Analysis of nonuniform distributions of defects in proton-irradiated silicon photoelectric transducers
O.G. Koshelev, V.A. Morozova, G.M. Grigor'eva, K.N. Zvyagina, and A.V. Spasskii
Авторы
О.Г. Кошелев, В.А. Морозова, Г.М. Григорьева, К.Н. Звягина, А.В. Спасский
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников; НИИЯФ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 6, 2004

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.