Особенности рассеяния заряженных частиц в сложных токовых конфигурациях

Проведено аналитическое и численное исследование рассеяния заряженных частиц в магнитных полях токовых слоев с колоколообразными и двугорбыми профилями плотности тока. Показано, что процессы рассеяния частиц существенным образом зависят от структуры токового слоя. Так, при рассеянии частиц в двойных токовых слоях в системе может поддерживаться режим, при котором компенсация двух последовательных скачков магнитных моментов частиц может приводить к квазирегулярному типу движения вместо хаотического.