Влияние эффекта Рамзауэра на частоту упругих столкновений в плазме индуктивного ВЧ-разряда в инертных газах

Представлены результаты исследования механизма поглощения ВЧ-мощности плазмой индуктивного ВЧ-разряда, приведены зависимости частоты столкновений электронов с атомами инертных газов (гелий, неон, аргон, криптон) от давления в плазме индуктивного ВЧ-разряда. В диапазоне частот столкновений 3•10$^6$–3•10$^7$ с$^{-1}$ значения эквивалентного сопротивления плазмы и энерговклад в плазму определяются величинами частоты столкновений и концентрации электронов в области скин-слоя и в пределах ошибки эксперимента не зависят от рода газа. При достижении температуры электронов ~1 эВ энергия основной массы электронов находится в области рамзауэровского минимума сечений упругих столкновений. Это приводит к понижению частоты упругих столкновений тяжелых инертных газов по сравнению с гелием.